Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
40 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
450 mW
Minimum DC Akım Kazancı
300
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
150 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
214,60 TL
8,584 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
257,52 TL
10,301 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
Standart
25

214,60 TL
8,584 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
257,52 TL
10,301 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
25

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 8,584 TL | 214,60 TL |
| 250 - 475 | 3,944 TL | 98,60 TL |
| 500 - 975 | 3,712 TL | 92,80 TL |
| 1000 - 1975 | 3,132 TL | 78,30 TL |
| 2000+ | 2,958 TL | 73,95 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
40 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
450 mW
Minimum DC Akım Kazancı
300
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
150 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


