Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
2 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
40 V
Paket Tipi
SSMini
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
150 MHz
Pim Sayısı
6
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
0.6 x 1.7 x 1.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
160,08 TL
16,008 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
192,10 TL
19,21 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
10

160,08 TL
16,008 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
192,10 TL
19,21 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
10

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 10 - 140 | 16,008 TL | 160,08 TL |
| 150 - 290 | 7,076 TL | 70,76 TL |
| 300 - 590 | 6,844 TL | 68,44 TL |
| 600 - 1190 | 6,67 TL | 66,70 TL |
| 1200+ | 6,554 TL | 65,54 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
2 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
40 V
Paket Tipi
SSMini
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
150 MHz
Pim Sayısı
6
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
0.6 x 1.7 x 1.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


