Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
480 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
20 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
149,35 TL
5,974 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
179,22 TL
7,169 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
Standart
25

149,35 TL
5,974 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
179,22 TL
7,169 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
25

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
480 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
20 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


