Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TSOP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
700 mW
Minimum DC Akım Kazancı
200
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
80 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
185 MHz
Pim Sayısı
6
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Boyutlar
1 x 3.1 x 1.7mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
283,04 TL
14,152 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
339,65 TL
16,982 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Standart
20

283,04 TL
14,152 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
339,65 TL
16,982 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
20

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 20 - 40 | 14,152 TL | 283,04 TL |
| 60 - 100 | 10,962 TL | 219,24 TL |
| 120 - 220 | 9,686 TL | 193,72 TL |
| 240 - 460 | 7,714 TL | 154,28 TL |
| 480+ | 6,786 TL | 135,72 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TSOP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
700 mW
Minimum DC Akım Kazancı
200
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
80 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
185 MHz
Pim Sayısı
6
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Boyutlar
1 x 3.1 x 1.7mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


