Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
5 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
40 V
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Minimum DC Akım Kazancı
250
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
6 V
Maksimum Çalışma Frekansı
120 MHz
Pim Sayısı
4
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
254,04 TL
12,702 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
304,85 TL
15,242 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
20

254,04 TL
12,702 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
304,85 TL
15,242 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
20

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 20 - 40 | 12,702 TL | 127,02 TL |
| 50 - 90 | 11,31 TL | 113,10 TL |
| 100 - 190 | 10,208 TL | 102,08 TL |
| 200+ | 7,192 TL | 71,92 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
5 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
40 V
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Minimum DC Akım Kazancı
250
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
6 V
Maksimum Çalışma Frekansı
120 MHz
Pim Sayısı
4
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


