Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
4 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
80 V
Paket Tipi
HUSON
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
-80 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
-7 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
2.1 x 2.1 x 0.65mm
Menşe
Hong Kong
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
524,32 TL
13,108 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
629,18 TL
15,73 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
40
524,32 TL
13,108 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
629,18 TL
15,73 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
40
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 40 - 180 | 13,108 TL | 262,16 TL |
| 200 - 380 | 12,702 TL | 254,04 TL |
| 400 - 780 | 12,412 TL | 248,24 TL |
| 800+ | 12,122 TL | 242,44 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
4 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
80 V
Paket Tipi
HUSON
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
-80 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
-7 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
2.1 x 2.1 x 0.65mm
Menşe
Hong Kong
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


