Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NXPİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
12 → 60mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-25V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
50 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Pim Sayısı
3
Boyutlar
3 x 1.4 x 1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Yükseklik
1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Genişlik
1.4mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NXPİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
12 → 60mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-25V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
50 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Pim Sayısı
3
Boyutlar
3 x 1.4 x 1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Yükseklik
1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Genişlik
1.4mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.