Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
26,9 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
300 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±10V
Maksimum Güç Kaybı
166 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Otomotiv Standardı
AEC-Q100
Ürün Ayrıntıları
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
55,47 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
66,564 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
55,47 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
66,564 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
5 - 45 | 55,47 TL | 277,35 TL |
50 - 95 | 50,224 TL | 251,12 TL |
100+ | 39,99 TL | 199,95 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
26,9 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
300 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±10V
Maksimum Güç Kaybı
166 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Otomotiv Standardı
AEC-Q100
Ürün Ayrıntıları
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.