Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
IPAK (TO-251)
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
11.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 4,8 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.6mm
Genişlik
2.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
QFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
6.1mm
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
5
![sticker-359](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/yeniiyifiyat.gif)
Teklif İsteyiniz
5
![sticker-359](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/yeniiyifiyat.gif)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
IPAK (TO-251)
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
11.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 4,8 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.6mm
Genişlik
2.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
QFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
6.1mm
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.