Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
500mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
25V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
160pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
160pF
Boyutlar
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.2mm
Yükseklik
5.33mm
Genişlik
4.19mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
500mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
25V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
160pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
160pF
Boyutlar
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.2mm
Yükseklik
5.33mm
Genişlik
4.19mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.