Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
P
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
-2 → -25mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Boyutlar
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Yükseklik
5.33mm
Genişlik
4.19mm
Maksimum Güç Kaybı
350 mW
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.2mm
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
P
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
-2 → -25mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Boyutlar
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Yükseklik
5.33mm
Genişlik
4.19mm
Maksimum Güç Kaybı
350 mW
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.2mm
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.