Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
12 → 30mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
10 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
2.5pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
5pF
Boyutlar
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.92mm
Yükseklik
0.93mm
Genişlik
1.3mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
12 → 30mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
10 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
2.5pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
5pF
Boyutlar
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.92mm
Yükseklik
0.93mm
Genişlik
1.3mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.