Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
30 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
278 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
2615pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
0.65mJ
Menşe
Vietnam
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
90,343 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
108,412 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
90,343 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
108,412 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
30 - 90 | 90,343 TL | 2.710,29 TL |
120 - 240 | 78,088 TL | 2.342,64 TL |
270 - 480 | 74,132 TL | 2.223,96 TL |
510 - 990 | 66,65 TL | 1.999,50 TL |
1020+ | 56,158 TL | 1.684,74 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
30 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
278 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
2615pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
0.65mJ
Menşe
Vietnam
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.