ON Semiconductor NTD5865N-1G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 38 A, 60 V, 4-Pinli IPAK

RS Stok Numarası: 719-2897Marka: ON SemiconductorÜretici Parça Numarası: NTD5865N-1G
brand-logo
View all in MOSFET'ler

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

38 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

60 V

Paket Tipi

IPAK

Montaj Tipi

Açık Delik

Pim Sayısı

4

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

18 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

4V

Maksimum Güç Kaybı

52 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Uzunluk

6.73mm

Genişlik

6.22mm

Transistör Malzemesi

Si

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 23 nC

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yükseklik

2.38mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

P.O.A.

ON Semiconductor NTD5865N-1G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 38 A, 60 V, 4-Pinli IPAK
sticker-359

P.O.A.

ON Semiconductor NTD5865N-1G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 38 A, 60 V, 4-Pinli IPAK
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
sticker-359

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

38 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

60 V

Paket Tipi

IPAK

Montaj Tipi

Açık Delik

Pim Sayısı

4

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

18 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

4V

Maksimum Güç Kaybı

52 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Uzunluk

6.73mm

Genişlik

6.22mm

Transistör Malzemesi

Si

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 23 nC

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yükseklik

2.38mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more