ON Semiconductor NTJD4105CT1G İkili N/P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 1,1 A, 910 mA, 8 V, 20 V, 6-Pinli
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,1 A, 910 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
8 V, 20 V
Paket Tipi
SOT-363 (SC-88)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
445 mΩ, 900 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.5V
Maksimum Güç Kaybı
550 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, -8 V, +12 V, +8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1,3 nC, 4,5 V'de 2,2 nC
Genişlik
1.35mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1mm
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,1 A, 910 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
8 V, 20 V
Paket Tipi
SOT-363 (SC-88)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
445 mΩ, 900 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.5V
Maksimum Güç Kaybı
550 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, -8 V, +12 V, +8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1,3 nC, 4,5 V'de 2,2 nC
Genişlik
1.35mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1mm
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products