Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
109 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
WDFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
7.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
114 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
±20 V
Genişlik
3.15mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
3.15mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 27 nC
Yükseklik
0.75mm
Seri
NVTFS5C658NL
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
109 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
WDFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
7.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
114 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
±20 V
Genişlik
3.15mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
3.15mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 27 nC
Yükseklik
0.75mm
Seri
NVTFS5C658NL
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları