Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
150 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
400 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±6V
Paket Tipi
ECH
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
8
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
2.9 x 2.3 x 0.9mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
150 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
400 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±6V
Paket Tipi
ECH
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
8
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
2.9 x 2.3 x 0.9mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.