Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
200 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-92
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
400 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
4.19mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5.2mm
Yükseklik
5.33mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
2.587,80 TL
12,939 TL (KDV Hariç)
3.105,36 TL
15,527 TL KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (undefined)
200

2.587,80 TL
12,939 TL (KDV Hariç)
3.105,36 TL
15,527 TL KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (undefined)
200

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per |
---|---|---|
200 - 480 | 12,939 TL | 258,78 TL |
500 - 980 | 11,172 TL | 223,44 TL |
1000 - 1980 | 9,861 TL | 197,22 TL |
2000+ | 8,949 TL | 178,98 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
200 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-92
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
400 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
4.19mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5.2mm
Yükseklik
5.33mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.