Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
300 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.8 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Maksimum Güç Kaybı
350 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.92mm
Genişlik
1.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
1.2mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
6,493 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
7,792 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
100
6,493 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
7,792 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
100
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Şerit |
---|---|---|
100 - 900 | 6,493 TL | 649,30 TL |
1000 - 2900 | 5,031 TL | 503,10 TL |
3000 - 8900 | 4,042 TL | 404,20 TL |
9000+ | 3,913 TL | 391,30 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
300 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.8 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Maksimum Güç Kaybı
350 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.92mm
Genişlik
1.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
1.2mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.