Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
10 to 17mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-15V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CP
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
10pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
3pF
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
1.1mm
Genişlik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
10.431,00 TL
10,431 TL Each (Supplied as a Tape) (KDV Hariç)
12.517,20 TL
12,517 TL Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
Standart
1000
10.431,00 TL
10,431 TL Each (Supplied as a Tape) (KDV Hariç)
12.517,20 TL
12,517 TL Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
10 to 17mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-15V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CP
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
10pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
3pF
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
1.1mm
Genişlik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.