Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
320 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.3V
Maksimum Güç Kaybı
420 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
1.4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
3.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 0,7 nC
Yükseklik
1.01mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
320 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.3V
Maksimum Güç Kaybı
420 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
1.4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
3.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 0,7 nC
Yükseklik
1.01mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları