Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
170 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
SOT-23
Seri
PowerTrench
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
360 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
2.92mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 1,8 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Genişlik
1.3mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
0.93mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
170 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
SOT-23
Seri
PowerTrench
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
360 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
2.92mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 1,8 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Genişlik
1.3mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
0.93mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.