Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
210 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
50 V
Paket Tipi
SOT-323
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
340 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
1.25mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 1,1 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
0.9mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.4V
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
452,40 TL
4,524 TL Each (In a Pack of 100) (KDV Hariç)
542,88 TL
5,429 TL Each (In a Pack of 100) KDV Dahil
Standart
100
452,40 TL
4,524 TL Each (In a Pack of 100) (KDV Hariç)
542,88 TL
5,429 TL Each (In a Pack of 100) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
100
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 4,524 TL | 452,40 TL |
| 500 - 900 | 3,944 TL | 394,40 TL |
| 1000+ | 3,364 TL | 336,40 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
210 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
50 V
Paket Tipi
SOT-323
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.8V
Maksimum Güç Kaybı
340 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
1.25mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 1,1 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
0.9mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.4V
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


