Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
20 to 40mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-25V
Transistör Yapılandırması
Ortak Kaynak
Yapılandırma
İkili
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CPH
Pim Sayısı
6
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
6pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
2.3pF
Boyutlar
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Yükseklik
0.9mm
Genişlik
1.6mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
10,669 TL
Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
12,803 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
10,669 TL
Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
12,803 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
20 to 40mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-25V
Transistör Yapılandırması
Ortak Kaynak
Yapılandırma
İkili
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CPH
Pim Sayısı
6
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
6pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
2.3pF
Boyutlar
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Yükseklik
0.9mm
Genişlik
1.6mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.