Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
ECH8, SOT-28FL
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
55 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.6V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
1,3 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
2.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
2.9mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 11,8 nC
Yükseklik
0.88mm
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
9,374 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
11,249 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
9,374 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
11,249 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
ECH8, SOT-28FL
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
55 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.6V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
1,3 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
2.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
2.9mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 11,8 nC
Yükseklik
0.88mm
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları