Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6,5 A, 9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Series
PowerTrench
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
5
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
24 mΩ, 54 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
3,1 W
Transistör Yapılandırması
Ortak Tahliye
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 14 nC, 10 V'de 17 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
82.500,00 TL
33,00 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
99.000,00 TL
39,60 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
82.500,00 TL
33,00 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
99.000,00 TL
39,60 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6,5 A, 9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Series
PowerTrench
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
5
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
24 mΩ, 54 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
3,1 W
Transistör Yapılandırması
Ortak Tahliye
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 14 nC, 10 V'de 17 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.