Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
600 mA, 700 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Seri
PowerTrench
Paket Tipi
SOT-363 (SC-70)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
700 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.3V
Maksimum Güç Kaybı
300 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
1.25mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1,1 nC, 4,5 V'de 1,4 nC
Yükseklik
1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
3000
Teklif İsteyiniz
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
600 mA, 700 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Seri
PowerTrench
Paket Tipi
SOT-363 (SC-70)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
700 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.3V
Maksimum Güç Kaybı
300 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
1.25mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1,1 nC, 4,5 V'de 1,4 nC
Yükseklik
1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.