Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
P Tipi, N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
4.5A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
SOIC
Seri
PowerTrench
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
55mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
12.5nC
İleri Gerilim (Vf)
0.8V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
2W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Transistör Yapılandırması
Yalıtımlı
Genişlik
4 mm
Yükseklik
1.5mm
Uzunluk
5mm
Standartlar/Onaylar
No
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
42.600,00 TL
17,04 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
51.120,00 TL
20,448 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
42.600,00 TL
17,04 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
51.120,00 TL
20,448 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
P Tipi, N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
4.5A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
SOIC
Seri
PowerTrench
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
55mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
12.5nC
İleri Gerilim (Vf)
0.8V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
2W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Transistör Yapılandırması
Yalıtımlı
Genişlik
4 mm
Yükseklik
1.5mm
Uzunluk
5mm
Standartlar/Onaylar
No
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


