Sene Sonu Yüklemeleri Hakkında!

2024 yılında yapacağımız son yükleme 16.12.2024 tarihinde yapılacaktır. Bu tarihten sonra yapacağınız alışverişler, 02.01.2025 tarihinde yapacağımız yüklememize dahil edilecektir.

Ayrıntılı bilgi için tıklayınız

ON Semiconductor FDS6681Z P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 20 A, 30 V, 8-Pinli SOIC

RS Stok Numarası: 124-1711Marka: onsemiÜretici Parça Numarası: FDS6681Z
brand-logo

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

onsemi

İletken Tipi

P

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

20 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

30 V

Seri

PowerTrench

Paket Tipi

SOIC

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

8

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

5 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

1V

Maksimum Güç Kaybı

2,5 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-25 V, +25 V

Genişlik

4mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Transistör Malzemesi

Si

Uzunluk

5mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 185 nC

Yükseklik

1.5mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

41,83 TL

Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)

50,196 TL

Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil

ON Semiconductor FDS6681Z P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 20 A, 30 V, 8-Pinli SOIC

41,83 TL

Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)

50,196 TL

Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil

ON Semiconductor FDS6681Z P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 20 A, 30 V, 8-Pinli SOIC
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

onsemi

İletken Tipi

P

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

20 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

30 V

Seri

PowerTrench

Paket Tipi

SOIC

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

8

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

5 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

1V

Maksimum Güç Kaybı

2,5 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-25 V, +25 V

Genişlik

4mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Transistör Malzemesi

Si

Uzunluk

5mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 185 nC

Yükseklik

1.5mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more