Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
830 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-523 (SC-89)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.8 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
625 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1.7mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 2,2 nC
Genişlik
1.2mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Seri
PowerTrench
Yükseklik
0.6mm
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
15,91 TL
Each (In a Pack of 25) KDV Hariç
19,092 TL
Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
25
15,91 TL
Each (In a Pack of 25) KDV Hariç
19,092 TL
Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
25
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
25 - 75 | 15,91 TL | 397,75 TL |
100 - 475 | 9,976 TL | 249,40 TL |
500 - 975 | 9,245 TL | 231,12 TL |
1000 - 2975 | 6,321 TL | 158,02 TL |
3000+ | 5,504 TL | 137,60 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
830 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-523 (SC-89)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.8 Ω
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
625 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1.7mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 2,2 nC
Genişlik
1.2mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Seri
PowerTrench
Yükseklik
0.6mm
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.