Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
60 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1300 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±25V
Maksimum Güç Kaybı
348 W
Paket Tipi
TO-3PN
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.8 x 5 x 20.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
209,496 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
251,395 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
209,496 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
251,395 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
30 - 30 | 209,496 TL | 6.284,88 TL |
60+ | 196,897 TL | 5.906,91 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
60 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1300 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±25V
Maksimum Güç Kaybı
348 W
Paket Tipi
TO-3PN
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.8 x 5 x 20.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.