Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
120 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
650 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
600 W
Paket Tipi
TO-3PN
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.8 x 5 x 20.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
217,62 TL
Each KDV Hariç
261,14 TL
Each KDV Dahil
1
217,62 TL
Each KDV Hariç
261,14 TL
Each KDV Dahil
1
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 9 | 217,62 TL |
10 - 99 | 172,47 TL |
100 - 249 | 151,40 TL |
250 - 499 | 148,39 TL |
500+ | 131,62 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
120 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
650 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
600 W
Paket Tipi
TO-3PN
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.8 x 5 x 20.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.