FGPF15N60UNDF Fairchild IGBT, 30 A, 600 V, 3-Pinli TO-220F

RS Stok Numarası: 807-0785Marka: onsemiÜretici Parça Numarası: FGPF15N60UNDF
brand-logo
View all in IGBT'ler

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

onsemi

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

30 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

600 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±20V

Maksimum Güç Kaybı

42 W

Paket Tipi

TO-220F

Montaj Tipi

Açık Delik

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Hızı

1MHz

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

10.36 x 2.74 x 16.07mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Ürün Ayrıntıları

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

103,63 TL

Each (In a Pack of 5) KDV Hariç

124,356 TL

Each (In a Pack of 5) KDV Dahil

FGPF15N60UNDF Fairchild IGBT, 30 A, 600 V, 3-Pinli TO-220F
Paketlenme türü seçiniz

103,63 TL

Each (In a Pack of 5) KDV Hariç

124,356 TL

Each (In a Pack of 5) KDV Dahil

FGPF15N60UNDF Fairchild IGBT, 30 A, 600 V, 3-Pinli TO-220F
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Paketlenme türü seçiniz

Toptan Satın Al

MiktarBirim FiyatPer Paket
5 - 5103,63 TL518,15 TL
10 - 9588,752 TL443,76 TL
100 - 24569,058 TL345,29 TL
250 - 49566,478 TL332,39 TL
500+57,878 TL289,39 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

onsemi

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

30 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

600 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±20V

Maksimum Güç Kaybı

42 W

Paket Tipi

TO-220F

Montaj Tipi

Açık Delik

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Hızı

1MHz

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

10.36 x 2.74 x 16.07mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Ürün Ayrıntıları

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more