ISL9V3040D3ST ON Semiconductor IGBT, 21 A, 300 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
21 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
300 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±10V
Maksimum Güç Kaybı
150 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
73,96 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
88,752 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
73,96 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
88,752 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
Toptan Satın Al
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 73,96 TL | 369,80 TL |
| 10 - 95 | 62,35 TL | 311,75 TL |
| 100 - 245 | 47,042 TL | 235,21 TL |
| 250 - 495 | 45,666 TL | 228,33 TL |
| 500+ | 39,904 TL | 199,52 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
21 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
300 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±10V
Maksimum Güç Kaybı
150 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products