Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiÜrün Tipi
Ateşleme IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
21A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
430V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±10 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
EcoSPARK
Enerji Değeri
300mJ
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
6.528,00 TL
130,56 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
7.833,60 TL
156,672 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
6.528,00 TL
130,56 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
7.833,60 TL
156,672 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 50 - 95 | 130,56 TL | 652,80 TL |
| 100 - 495 | 113,152 TL | 565,76 TL |
| 500 - 995 | 99,456 TL | 497,28 TL |
| 1000+ | 90,496 TL | 452,48 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiÜrün Tipi
Ateşleme IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
21A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
430V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Paket Tipi
TO-252
Montaj Tipi
Yüzey
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±10 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
EcoSPARK
Enerji Değeri
300mJ
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


