Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMantık İşlevi
İnverter
Giriş Tipi
Schmitt Trigger
Çıkış Tipi
CMOS
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Schmitt Tetikleyici Girişi
Yes
Maksimum CL'de Maksimum Yayılım Gecikme Süresi
20.5 ns @ 50 pF
Maksimum Yüksek Seviye Çıkış Akımı
-8mA
Maksimum Düşük Seviye Çıkış Akımı
8mA
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
5
Lojik Ailesi
VHC
Boyutlar
3 x 1.5 x 1mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5,5 V
Yükseklik
1mm
Yayılım Gecikmesi Test Koşulu
50pF
Uzunluk
3mm
Genişlik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
2 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
74VHC1G Family, ON Semiconductor
Advanced 74VHC High-Speed silicon-gate CMOS logic family products from ON Semiconductor offering high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL, whilst maintaining the advantage of CMOS low power dissipation.
74VHC Family
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
2,795 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
3,354 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
2,795 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
3,354 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMantık İşlevi
İnverter
Giriş Tipi
Schmitt Trigger
Çıkış Tipi
CMOS
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Schmitt Tetikleyici Girişi
Yes
Maksimum CL'de Maksimum Yayılım Gecikme Süresi
20.5 ns @ 50 pF
Maksimum Yüksek Seviye Çıkış Akımı
-8mA
Maksimum Düşük Seviye Çıkış Akımı
8mA
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
5
Lojik Ailesi
VHC
Boyutlar
3 x 1.5 x 1mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5,5 V
Yükseklik
1mm
Yayılım Gecikmesi Test Koşulu
50pF
Uzunluk
3mm
Genişlik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
2 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
74VHC1G Family, ON Semiconductor
Advanced 74VHC High-Speed silicon-gate CMOS logic family products from ON Semiconductor offering high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL, whilst maintaining the advantage of CMOS low power dissipation.