Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
20mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-35 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
35V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
30 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
28pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
28pF
Boyutlar
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
1.04mm
Genişlik
1.3mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
11,739 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
14,087 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
50
11,739 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
14,087 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
50
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Şerit |
---|---|---|
50 - 50 | 11,739 TL | 586,95 TL |
100 - 950 | 6,837 TL | 341,85 TL |
1000 - 2950 | 4,601 TL | 230,05 TL |
3000 - 8950 | 4,042 TL | 202,10 TL |
9000+ | 3,913 TL | 195,65 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
20mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-35 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
35V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
30 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
28pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
28pF
Boyutlar
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
1.04mm
Genişlik
1.3mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.