Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
min. 2mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-35 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
35V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
28pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
28pF
Boyutlar
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.92mm
Yükseklik
0.93mm
Genişlik
1.3mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
928,00 TL
9,28 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.113,60 TL
11,136 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
928,00 TL
9,28 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.113,60 TL
11,136 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 100 - 225 | 9,28 TL | 232,00 TL |
| 250 - 475 | 8,062 TL | 201,55 TL |
| 500 - 975 | 7,076 TL | 176,90 TL |
| 1000+ | 6,438 TL | 160,95 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
min. 2mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-35 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
35V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
28pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
28pF
Boyutlar
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.92mm
Yükseklik
0.93mm
Genişlik
1.3mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


