Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.5 to 20mA
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
25V dc
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
11pF
Boyutlar
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Uzunluk
3.04mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.01mm
Genişlik
1.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
12.168,00 TL
4,056 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
14.601,60 TL
4,867 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
12.168,00 TL
4,056 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
14.601,60 TL
4,867 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.5 to 20mA
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
25V dc
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
11pF
Boyutlar
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Uzunluk
3.04mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.01mm
Genişlik
1.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.