Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
180 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
48 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 10 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
2.39mm
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
30,738 TL
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
36,886 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
30,738 TL
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
36,886 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
180 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
48 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 10 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
2.39mm
Ürün Ayrıntıları
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.