Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
160 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
454 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.34mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Kapı Kapasitansı
4912pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
264,063 TL
Each (In a Pack of 2) KDV Hariç
316,876 TL
Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
2
264,063 TL
Each (In a Pack of 2) KDV Hariç
316,876 TL
Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
2
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
2 - 8 | 264,063 TL | 528,13 TL |
10 - 98 | 224,288 TL | 448,58 TL |
100 - 248 | 179,568 TL | 359,14 TL |
250 - 498 | 169,463 TL | 338,93 TL |
500+ | 159,143 TL | 318,29 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
160 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
454 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.34mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Kapı Kapasitansı
4912pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.