Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
220 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
400 mW
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5.5 nC @ 4 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Genişlik
1.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.94mm
Ürün Ayrıntıları
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
2

Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
2

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
220 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
400 mW
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5.5 nC @ 4 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Genişlik
1.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.94mm
Ürün Ayrıntıları
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.