Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
250 mA, 280 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-963
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.5 Ω, 10 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
200 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1.05mm
Genişlik
0.85mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.4mm
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
7,998 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
9,598 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
25
7,998 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
9,598 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
25
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
250 mA, 280 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-963
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.5 Ω, 10 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
200 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1.05mm
Genişlik
0.85mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.4mm
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.