Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Renesas ElectronicsTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
30 mA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
8 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Transistör Yapılandırması
Kompleks
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
12 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5,5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
10.000 MHz
Pim Sayısı
8
Yonga Başına Eleman Sayısı
6
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Boyutlar
1.5 x 5 x 4mm
Ürün Ayrıntıları
Gilbert Cell UHF Transistor Arrays, Intersil
Bipolar Transistors, Intersil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
Teklif İsteyiniz
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Renesas ElectronicsTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
30 mA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
8 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Transistör Yapılandırması
Kompleks
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
12 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5,5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
10.000 MHz
Pim Sayısı
8
Yonga Başına Eleman Sayısı
6
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Boyutlar
1.5 x 5 x 4mm
Ürün Ayrıntıları


