Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Renesas ElectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
35 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±30V
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Paket Tipi
TO-220FL
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10 x 4.5 x 15mm
Kapı Kapasitansı
900pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Renesas ElectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
35 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±30V
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Paket Tipi
TO-220FL
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10 x 4.5 x 15mm
Kapı Kapasitansı
900pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.