RJH60F3DPQ-A0#T0 Renesas IGBT, 40 A, 600 V, 3-Pinli TO-247A
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Renesas ElectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
40 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±30V
Maksimum Güç Kaybı
178.5 W
Paket Tipi
TO-247A
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Kapı Kapasitansı
1260pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Renesas ElectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
40 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±30V
Maksimum Güç Kaybı
178.5 W
Paket Tipi
TO-247A
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Kapı Kapasitansı
1260pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products