RJP4010AGE-01#P5 Renesas IGBT, 150 (Darbe) A, 400 V, 8-Pinli TSOJ
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Renesas ElectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
150 (Darbe) A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
400 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±6V
Maksimum Güç Kaybı
1,6 W
Paket Tipi
TSOJ
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
8
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
3.1 x 2.5 x 1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
5100pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
45,709 TL
Each (In a Pack of 4) KDV Hariç
54,851 TL
Each (In a Pack of 4) KDV Dahil
4
45,709 TL
Each (In a Pack of 4) KDV Hariç
54,851 TL
Each (In a Pack of 4) KDV Dahil
4
Toptan Satın Al
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 4 - 36 | 45,709 TL | 182,84 TL |
| 40 - 76 | 37,711 TL | 150,84 TL |
| 80 - 196 | 34,314 TL | 137,26 TL |
| 200 - 396 | 32,336 TL | 129,34 TL |
| 400+ | 31,605 TL | 126,42 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Renesas ElectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
150 (Darbe) A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
400 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±6V
Maksimum Güç Kaybı
1,6 W
Paket Tipi
TSOJ
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
8
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
3.1 x 2.5 x 1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
5100pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products