Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ROHMÜrün Tipi
SiC Güç Modülü
İletken Tipi
N Tipi
Seri
BSM
Pim Sayısı
4
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
45.6 mm
Uzunluk
122mm
Yükseklik
17mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
39.988,86 TL
39.988,86 TL Each (KDV Hariç)
47.986,63 TL
47.986,63 TL Each KDV Dahil
1
39.988,86 TL
39.988,86 TL Each (KDV Hariç)
47.986,63 TL
47.986,63 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ROHMÜrün Tipi
SiC Güç Modülü
İletken Tipi
N Tipi
Seri
BSM
Pim Sayısı
4
Kanal Modu
Artırma
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Genişlik
45.6 mm
Uzunluk
122mm
Yükseklik
17mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.


