ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007

RS Stok Numarası: 144-2259Marka: ROHMÜretici Parça Numarası: BSM180D12P3C007
brand-logo

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

ROHM

Ürün Tipi

SiC Güç Modülü

İletken Tipi

N Tipi

Seri

BSM

Pim Sayısı

4

Kanal Modu

Artırma

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

150°C

Genişlik

45.6 mm

Uzunluk

122mm

Yükseklik

17mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

2

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

39.988,86 TL

39.988,86 TL Each (KDV Hariç)

47.986,63 TL

47.986,63 TL Each KDV Dahil

ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007

39.988,86 TL

39.988,86 TL Each (KDV Hariç)

47.986,63 TL

47.986,63 TL Each KDV Dahil

ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

ROHM

Ürün Tipi

SiC Güç Modülü

İletken Tipi

N Tipi

Seri

BSM

Pim Sayısı

4

Kanal Modu

Artırma

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

150°C

Genişlik

45.6 mm

Uzunluk

122mm

Yükseklik

17mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

2

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more