Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Semelabİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
25 to 75mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
40V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
60 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Boyutlar
3.05 x 2.54 x 1.02mm
Yükseklik
1.02mm
Genişlik
2.54mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
3.05mm
Menşe
United Kingdom
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Semikron
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
1.920,767 TL
Each (In a Tray of 100) KDV Hariç
2.304,92 TL
Each (In a Tray of 100) KDV Dahil
100
1.920,767 TL
Each (In a Tray of 100) KDV Hariç
2.304,92 TL
Each (In a Tray of 100) KDV Dahil
100
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Semelabİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
25 to 75mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
40V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
60 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Boyutlar
3.05 x 2.54 x 1.02mm
Yükseklik
1.02mm
Genişlik
2.54mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
3.05mm
Menşe
United Kingdom
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Semikron
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.