Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Semikron DanfossMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
422 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
20V
Transistör Sayısı
2
Yapılandırma
İkili
Paket Tipi
SEMITRANS3
Montaj Tipi
Vida Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Anahtarlama Hızı
12kHz
Transistör Yapılandırması
Yarım Köprü
Boyutlar
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Menşe
Slovakia
Ürün Ayrıntıları
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
10.514,71 TL
10.514,71 TL Each (KDV Hariç)
12.617,65 TL
12.617,65 TL Each KDV Dahil
1
10.514,71 TL
10.514,71 TL Each (KDV Hariç)
12.617,65 TL
12.617,65 TL Each KDV Dahil
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Semikron DanfossMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
422 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
20V
Transistör Sayısı
2
Yapılandırma
İkili
Paket Tipi
SEMITRANS3
Montaj Tipi
Vida Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Anahtarlama Hızı
12kHz
Transistör Yapılandırması
Yarım Köprü
Boyutlar
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Menşe
Slovakia
Ürün Ayrıntıları
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.